AI人工智能应用持续推动存储器市场前行,其中HBM(高带宽内存)是当之无愧的“宠儿”,不断吸引存储器厂商加大资本支出与扩产。与此同时,存储器市场新的力量已经悄然形成,GDDR7有望接过HBM大棒,在AI浪潮下继续推动存储器市场稳步向前。GDDR7与HBM的差异GDDR7与HBM同属于图形DRAM,二者均具备高带宽和高速数据传输能力,可为AI计算提供强大支持,不过GDDR7与
了解详情 2024-08-20
6月23日,瞻芯电子宣布,公司基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品已经通过车规级可靠性(AEC-Q101)测试认证。同时,瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产,后续将依托浙江义乌的车规级SiC晶圆厂推出更多第三代SiC MOSFET产品。瞻芯电子成立于2017年,是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司,致力
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近日,士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目在海沧正式开工。该项目总投资120亿元,建设一条以SiC-MOSEFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线,建成后将形成年产72万片8英寸碳化硅功率器件芯片的生产能力。该项目分两期建设,其中,一期项目总投资70亿元,新增8英寸SiC芯片3.5万片/月的生产能力,二期投资规模约50亿元,新增8英寸SiC芯片2.5万片/月的生产能力。据&
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6月24日,三星电子旗下的韩国半导体和显示器制造设备公司表示,第一台名为“Omega Prime”的设备已于去年供货,Semes正在制造第二台设备。Semes表示,在Omega Prime设备上应用了喷嘴、烘烤温度和机器人位置自动调整系统,以消除涂布层的偏差。目前,Semes已制造出KrF光刻涂胶/显影设备,并在此基础上开发了ArF版本,以支持波长更短的新型光刻机。封面图片
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近日,在2024年超大规模集成电路国际研讨会上,复旦大学芯片与系统前沿技术研究院的刘明院士团队在会上展示了铪基铁电器件可靠性方面的最新研究进展。基于HfxZr1-xO2材料的铁电存储器(FeRAM)由于其高速、良好的可微缩性和CMOS工艺兼容性,受到了广泛关注。然而,器件的可靠性是影响其大规模应用的关键问题之一。在程序代码存储以及人工智能网络(AI)推理等以读操作为主的应用中,铁电电容既不会像在传
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