6月27日,半导体制造商Nexperia(安世半导体)宣布,计划投资2亿美元(约合人民币14.5亿元)开发碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等下一代宽带隙半导体(WBG),并在德国汉堡工厂建立生产基础设施。从2024年6月开始,安世半导体三种工艺(SiC、GaN和Si)器件都将在德国开发和生产,以满足对高效功率半导体日益增长的长期需求。安世半导体表示,这笔投资还将有助于德国汉堡工厂现有基础设施的进
了解详情 2024-08-16
近日,据媒体报道,日本存储芯片厂商铠侠公布了3D NAND闪存发展蓝图,目标2027年实现1000层堆叠。铠侠表示,自2014年以来,3D NAND闪存的层数经历了显著的增长,从初期的24层迅速攀升至2022年的238层,短短8年间实现了惊人的10倍增长。铠侠正是基于这种每年平均1.33倍的增长速度,预测到2027年达到1000层堆叠的目标是完全可行的。而这一规划较此前公布的时间早了近3年,据日本
了解详情 2024-08-16
6月24日,湖南省功率半导体产业对接会暨功率半导体行业联盟第八届发展战略高峰论坛在株洲举行。会上,4个功率半导体项目现场签约,分别为特种变压器智能制造基地项目、SiC半导体设备与基材生产基地、沃坦科通信连接器项目、功率半导体基板批量制造基地项目。其中,SiC半导体设备与基材生产基地项目建设单位为株洲诺天电热科技有限公司(以下简称诺天科技)。诺天科技致力于中高频感应加热设备和工业控制设备的开发生产与
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当前半导体产业逐渐复苏,加上AI人工智能、汽车电子等产业的快速发展,半导体厂商投资热情持续高涨。与此同时,随着工艺制程竞赛日趋激烈,晶圆代工头部厂商已将目光瞄准2纳米制程,而台积电作为全球最大的晶圆代工企业,2纳米工厂也正在如火如荼的建设中。102.6亿美元增资案获批6月27日,中国台湾经济部投资审议会通过了台积电两项增资案:为因应当地客户需求成长、强化与客户间的策略关系等,台积电申请分别以52.
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据韩媒报道,韩国后端设备制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高带宽内存 (HBM) 生产的演示热压 (TC) 键合机。双方已开始联合开发下一代键合机,用于HBM4生产。根据报道,美光还从日本新川半导体和韩美半导体采购TC键合机,用于生产HBM3E,于今年4月向韩美半导体提供了价值226亿韩元的TC Bonder采购订单。据透露,美光正在使用热压非导电薄膜 (TC-NCF) 工艺制造 HBM3E,
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