近日,外媒《tomshardware》报道,据英特尔向美国俄亥俄州政府提交的难度报告,其位于该州的两座新晶圆厂的投运时间已推迟至2027~2028年。俄亥俄州一号项目的Fab1和Fab2两座工厂均计划于2026~2027年完工,约一年后正式投运。根据报道,本次英特尔投资项目是俄亥俄州历史上最大的单一私营公司投资。预计将为英特尔创造3000个直接就业岗位,提供4.05亿美元的年度工资。此外,据悉,英
了解详情 2024-05-25
AI热潮之下,高算力AI芯片需求水涨船高,以英伟达为代表的AI芯片大厂以及其背后产业链持续受益。近期,英伟达发布最新一代AI芯片,推理性能提升30倍,再次引发业界关注。1英伟达市值飙涨最新一代AI芯片性能大幅提升北京时间3月19日凌晨,英伟达宣布推出新一代AI芯片架构Blackwell,首款Blackwell芯片命名为GB200,性能与功耗均较上一代产品大幅升级。图片来源:英伟达据悉,GB200
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为满足用户对于高性能、高可靠性、更大容量及更低成本的多样化存储需求,近日,西部数据以“存储周期,激发潜能”带来了新一代车规级UFS 3.1存储解决方案,和采用新一代QLC技术的Western Digital PC SN5000S NVMe™ SSD,以及针对企业级数据中心的NVMe SSD三款前沿尖端Flash产品,引起行业多方注目。西部数据公司中国区智能终端产
了解详情 2024-05-24
近日,美国GaN器件厂商Odyssey宣布出售公司资产。目前,Odyssey已与客户签署最终协议,将其大部分资产出售给一家大型半导体公司,交易金额为952万美元,目前买家信息处于保密状态。资料显示,Odyssey成立于2019年,专注基于专有的氮化镓(GaN)处理技术开发高压功率开关元件和系统,拥有一座面积为1万平方英尺的半导体晶圆制造厂,配备了一定比例的1000级和10000级洁净空间以及先进半
了解详情 2024-05-24
3月21日,北方华创宣布,近期公司12英寸高介电常数原子层沉积设备Scaler HK430实现稳定量产,获得批量订单。这标志着北方华创 CVD (化学气相沉积)先进工艺设备解决方案的成功应用。为了突破晶体管尺寸微缩的工艺瓶颈,业界采用新型High-K材料HfO 2 ( 氧化铪 )作为栅介质层,结合金属栅极技术,研发出HKMG(High-K/Metal Gate高介电常数/金属栅极)工艺。北方华创表
了解详情 2024-05-24