受新能源、5G、光伏等下游领域驱动，碳化硅产业高速发展。据TrendForce集邦咨询预计2026年SiC功率元件市场规模可望达53.3亿美元。

近年来，国内从事碳化硅相关产业的企业马不停蹄地布局，技术研发不断取得突破，产品质量和产能规模也在逐步提升。业界认为碳化硅更有望成为中国半导体行业实现弯道超车的领域。

近期，碳化硅领域消息不断，涉及企业包括天岳先进、长飞先进、中晶芯源、芯联集成、联合电子、东尼电子、瑞能半导体等。

科友半导体开展“完美八英寸碳化硅籽晶”项目

2024年3月27日，科友半导体与俄罗斯N公司在哈尔滨签署战略合作协议，开展“八英寸碳化硅完美籽晶”的项目合作。

资料显示，科友半导体长期致力于碳化硅长晶装备研制和工艺技术研发，有丰富的实践经验，八英寸电阻炉已在高端制造领域得到高度认可并被广泛应用。俄罗斯N公司在晶体缺陷密度控制有着丰富的研究经验，在相关领域发表高水平文章及期刊百余篇。

科友半导体表示，通过与俄罗斯N公司的合作，科友半导体将研发获得“无微管，低位错”完美籽晶，应用品质优异的籽晶进行晶体生长，会进一步大幅降低八英寸碳化硅晶体内部的微管、位错等缺陷密度，从而提高晶体生长的质量和良率，并推动碳化硅长晶炉体及工艺技术的优化与升级。双方将长期友好合作，发挥各方的技术优势，共同推进八英寸碳化硅晶体生长良率提升以及晶体缺陷降低。

关于8英寸方面，2023年5月，科友半导体实现8英寸碳化硅单晶衬底的小批量生产及供货；2023年9月，科友半导体衬底加工生产线建成；10月，首批8英寸碳化硅衬底下线；目前，年产能稳步扩充到数千片。科友半导体开发的8英寸碳化硅材料装备及工艺被中国电子学会组织的专家委员会评为“国内领先、国际先进水平”，是国内首家基于电阻式长晶炉制备获得8英寸碳化硅单晶的企业。截止到2023年12月底，科友半导体实现销售定单逾6亿元人民币，实现“当年投产即当年量产”。

值得一提的是，3月21日，科友半导体宣布公司在成功拿下超2亿元的出口欧洲长订单之后，顺利通过“国际汽车特别工作组质量管理体系”（IATF16949）认证，获得进军国内新能源汽车芯片衬底百亿级规模市场“通行证”。

科友半导体技术总监张胜涛表示，公司的产品已经通过了客户的前期验证，正在进行长订单的生产排期，生产线正在满负荷运行，确保今年按照合同如期交付，首批产品预计将于4月份交付。

长飞先进武汉基地项目预计今年6月封顶

据湖北新闻近日报道，长飞先进武汉基地项目预计今年6月封顶，明年7月投产，达产后预计可年产36万片6英寸SiC晶圆及外延、年产6100万个功率器件模块。

2023年8月，长飞先进半导体与武汉东湖高新区管委会签署第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议；同年9月初，长飞先进半导体武汉基地开工。

据中国光谷消息，长飞先进半导体项目位于光谷科学岛，项目总投资预计超过200亿元。其中，项目一期可年产36万片SiC MOSFET晶圆，包括外延、器件设计、晶圆制造、封装等。一期项目预计2025年建设完成，届时将成为国内最大的SiC功率半导体制造基地，产能规模将居行业领先地位。

根据资料，安徽长飞先进半导体有限公司，原名为芜湖启迪半导体有限公司，是一家第三代半导体研发生产服务商，专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造，拥有国内一流的产线设备和先进的配套系统，具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力。值得一提是，该公司于去年完成超38亿元A轮融资。

2023年5月，长飞先进半导体提出“All in SiC-十年黄金赛道”的发展战略，进军碳化硅领域。研发方面，同年7月，长飞先进半导体SiC战略项目（KO）A样品达到预期设计目标，这标志着该公司拥有车规级SiC MOSFET产品自主研发能力；12月，长飞先进首颗自研产品1200V 20A SiC SBD正式进入试产阶段，标志着长飞先进已具备SiC产品自主研发及量产能力。

中晶芯源8英寸SiC项目环评文件公示

3月26日，济南市生态环境局公示了中晶芯源8英寸SiC项目环评文件的基本情况。

根据公告，中晶芯源8英寸碳化硅单晶和衬底产业化项目总投资15亿元，其中环保投资200万元；项目占地面积 24152.71 平方米，主要进行碳化硅单晶生长和衬底加工生产，预计2025年实现满产达产。

据官网介绍，广州南砂晶圆半导体技术有限公司成立于2018年9月，是一家从事碳化硅单晶材料研发、生产和销售的国家高新技术企业。该公司总部设在广州市南沙区，现有广州、中山、济南三大生产基地，形成了碳化硅单晶炉制造、碳化硅粉料制备、碳化硅单晶生长和衬底制备等完整的生产线；公司产品以6英寸、8英寸导电型和半绝缘型碳化硅衬底为主，可视市场需求不断丰富产品线。

技术进展方面，2023年8月，南砂晶圆/山东大学在《无机材料学报》公布已成研发出8英寸导电型4H-SiC晶体，并加工出厚度520 μm衬底。

山东中晶芯源半导体科技有限公司 (简称“中晶芯源”)于2023年5月在山东省济南市历城区注册成立，是南砂晶圆全资子公司。中晶芯源定位8英寸碳化硅单晶和衬底产品产业化，是南砂晶圆打造碳化硅单晶衬底供应商的核心基地。

南砂晶圆总经理王垚浩此前向外表示，公司正在积极扩产济南厂区，计划将中晶芯源打造成为全国最大的8英寸碳化硅衬底生产基地。

芯联集成8英寸SiC计划年内送样

3月26日，晶圆制造/代工企业芯联集成在投资者调研活动中介绍，其8英寸SiC晶圆和芯片研发进展顺利，计划年内送样。

目前，芯联集成发展主要为三条曲线，第一条重大主线为硅基功率半导体，第二条增长主线是SiC相关业务，同时布局基于BCD平台的第三增长曲线。

芯联集成成立于2018年3月，是一家专注于功率、 传感和传输应用领域，提供模拟芯片及模块封装的代工服务的制造商。公司以晶圆代工为起点，向下延伸到模组封装，提供一站式代工解决方案，为功率、传感和传输等领域的半导体产品公司提供完整生产制造平台，支持客户研发以及大规模量产。

今年以来，芯联集成动作频频。1月30日，芯联集成与蔚来签署了SiC模块产品的生产供货协议。按照双方签署的协议，芯联集成将成为蔚来首款自研1200V SiC模块的生产供应商，该SiC模块将用于蔚来900V高压纯电平台。

3月1日，芯联集成与理想汽车签署战略合作框架协议。根据协议，双方将在SiC领域展开全面战略合作，积极推动产品化进程，共同提升双方的市场竞争力。

芯联集成和新能源战略客户共同开拓SiC在车以外的重大新应用，其SiC产品的应用范围将进一步扩大。

此外，在风光储充方向，芯联集成已为全球风光储充头部企业提供高功率、高可靠性、高稳定性的SiC芯片及模块。

目前芯联集成在车用场景进展较快，其用于汽车电子的先进SiC芯片及模块已进入规模量产阶段。

长三角国家技术创新中心-天岳半导体联合创新中心揭牌

3月26日，“2024临港科创大会”在上海临港中心召开。“长三角国家技术创新中心-天岳半导体联合创新中心”在本次大会上举行了揭牌仪式。该联合创新中心将通过产学研用深度融合实现从科学到技术的转化，推动SiC半导体领域关键核心技术攻关。

据介绍，上海天岳半导体材料有限公司是山东天岳先进科技股份有限公司全资子公司。上海天岳投资约25亿元建设业内领先的碳化硅半导体材料智慧工厂。

2023年5月，天岳先进上海临港新工厂交付6英寸导电型SiC衬底；2023年下半年，天岳先进决定将6英寸SiC衬底的生产规模扩大至96万片/年，相当于产能比原计划扩大220%。上海临港工厂达产后，将成为天岳先进导电型SiC衬底主要生产基地。

3月25日，天岳先进在投资者互动平台表示，目前临港工厂扩产进展顺利，产品交付有序推进。目前临港工厂第二阶段的产能规划也已经步入议程，公司将继续根据下游市场和客户需求情况，推进临港工厂产能产量提升。

嘉盛半导体苏州封测新基地计划年底竣工

据苏州工业园区发布消息，嘉盛先创科技（苏州）有限公司（以下简称“嘉盛先创科技”）新建集成电路封装测试生产项目厂房、办公楼等于近期完成主体封顶，二次结构施工及外围护施工等工作正加快推进。

该项目占地面积100亩，规划厂房面积约14万平方米，主要专注于SiC、GaN、汽车电子等先进封装。该基地分两期投资建设，其中一期于2022年8月开工，计划于今年年底竣工，2025年初试运营，将成为嘉盛半导体苏州封测新基地。

资料显示，嘉盛半导体成立于1972年，总部位于马来西亚，是一家半导体封装与测试供应商，其母公司是马来西亚丰隆集团。公司产品被应用于通讯、计算机、消费电子、汽车零部件上。销售网络遍布欧美、亚洲各地。

嘉盛半导体（苏州）有限公司成立于2002年3月，位于苏州工业园区，于2004年1月完工，于同年9月开业；嘉盛先创科技成立于2022年2月，注册资本8000万美元，位于苏相合作区。股东结构方面，两者均由嘉盛控股 (香港) 有限公司全资控股。

钧联电子800V SiC高压电驱总成生产基地投产

3月30日，钧联电子举办800V SiC高压电驱总成生产基地投产暨产品批量下线仪式。

该款800V SiC三合一电驱总成采用油冷扁线电机技术和全SiC功率器件，最高工作电压可达900V，250kW总成的重量仅77kg。同时，它集成BOOST升压充电功能，兼容目前市面上400V和800V的充电桩，通过升压实现高压快充，在7分钟时间内，可以将电池SOC从30%充至80%。

资料显示，合肥钧联汽车电子有限公司成立于2020年，是一家致力于第三代功率半导体模块及新能源汽车电驱系统的研发、制造、销售于一体的高科技企业。

钧联电子深耕以第三代功率半导体SiC为基础的800V高压电控，及其延伸的集成式电驱动系统和多融合动力域控领域，产品包括SiC功率模块和采用SiC功率模块的高压电控及电驱，为新能源汽车、eVTOL飞行器等领域客户提供解决方案。

目前，钧联电子已具备年产20万台电控、10万套电驱总成和20万只功率模块的生产能力，并已通过IATF 16949质量管理体系等认证。该公司开发出多款新能源汽车用功率模块、高性能电机控制器和电驱总成，已获多家新能源汽车主机厂多款车型量产验证，SiC模块、高压电控及电驱在主机厂认证进度处于行业前列。该基地建成投产，有助于钧联电子SiC电驱产品加速交付。

联合电子400V SiC电桥首次批产

3月30日，联合电子宣布，公司400V SiC（碳化硅）电桥在太仓工厂于今年3月迎来首次批产。本次量产标志着联合电子在400V电压平台上实现了Si和SiC技术的全面覆盖，也标志着联合电子同时拥有了400V Si，400V SiC和800V SiC的电桥解决方案。

联合电子400V碳化硅电桥采用自主封装SiC功率模块，常规工况下可实现620Arms/20s峰值电流输出，短时BOOST（超频使用）可达650Arms/5s。

其中自主封装SiC功率模块是采用第二代沟槽型SiC芯片，具有较低导通电阻，能够大幅降低电驱控制器系统损耗；散热系数低（<0.1K/W），同面积下，大幅提升电驱系统的峰值功率和系统效率；芯片最高运行温度可达200℃；低寄生电感设计，有效降低电压应力，提高可靠性，可实现更低的寄生电阻，相同电流条件下功率模块损耗可降低18%。

瑞能半导体旗下项目落地上海徐汇

据徐汇投促消息，近期，瑞能半导体旗下上海瑞能微澜半导体科技有限公司落地上海徐汇，定位打造全球运营中心+研发中心。新研发中心落地，有助于瑞能半导体加速SiC等功率器件技术升级及产品迭代。

官网显示，瑞能半导体成立于2015年，运营中心位于上海，全资子公司和分支结构包括吉林芯片生产基地，香港子公司，上海和英国产品及研发中心，东莞物流中心，以及遍布全球其他国家的销售和客户服务点。

瑞能半导体主要产品主要包括SiC器件、可控硅整流器和晶闸管、快恢二极管、TVS、ESD、IGBT、模块等，广泛应用于以家电为代表的消费电子、以通信电源为代表的工业制造、新能源及汽车等领域。

2018年9月，瑞能半导体可靠性测试实验室及失效分析实验室在江西省南昌县正式开业， 可以对包括二极管，三极管以及可控硅等分立器件产品进行可靠性测试以及失效分析。

2023年7月，瑞能微恩半导体暨瑞能金山模块厂开业典礼在上海湾区高新区举行，标志着瑞能半导体全球首座模块工厂正式投入运营。

据介绍，瑞能金山模块厂总投资2亿，厂房面积达到1.1万平方米，于2022年8月开工建设，在2023年4月完成质量和消防竣工验收。该厂将生产SCR/FRD/IGBT/SiC模块，主要应用于消费、通讯、新能源以及汽车等。按计划，为中国和海外客户提供的首批产品将在2023年第四季度出货。

东尼电子扩建湖州SiC项目

近日，湖州市生态环境局公示了对东尼电子扩建SiC项目的环评文件审批意见。

东尼电子专注于超微细合金线材、金属基复合材料及其它新材料的应用研发、生产与销售。公司生产的产品主要应用于消费电子、太阳能光伏、医疗、新能源汽车和半导体五大领域。

据了解，东尼电子2021年非公开发行募投项目“年产12万片碳化硅半导体材料”的实施地点位于湖州市吴兴区织里镇。该项目总投资4.69亿，由子公司湖州东尼半导体科技有限公司（以下简称“东尼半导体”）负责建设。这一项目已于2023年上半年实施完毕。本次湖州市生态环境局公示的项目，是在该募投项目上的进一步扩建。

公告显示，东尼半导体计划利用东尼五期厂区厂房，实施扩建年产20万片6英寸碳化硅衬底材料项目。扩建项目主要购置长晶炉、研磨机、超声波清洗机、切割机、抛光机、位错检测仪等晶体生产加工设备及检测仪器421台/套，形成年产20万片碳化硅衬底材料的生产能力。

据此前公告，2023年1月9日，东尼半导体与下游客户T签订《采购合同》，约定东尼半导体2023年向该客户交付6英寸SiC衬底13.50万片；2024年、2025年分别向该客户交付6英寸SiC衬底30万片和50万片。

今年1月5日，东尼半导体与下游客户T签订《采购合同之补充协议》。根据协议，东尼半导体同意2024年免费供应8英寸SiC衬底作为补偿，以弥补由此影响下游客户T交货而造成的损失。具体来看，东尼半导体2024年度将向下游客户T免费供应8英寸SiC衬底（P级）合计1,000片、8英寸SiC衬底（D级）合计335片。

封面图片来源：拍信网